半導(dǎo)體是工業(yè)領(lǐng)域最精密的技術(shù)結(jié)晶。隨著制程節(jié)點從7 nm、5 nm不斷邁向3 nm及以下，摩爾定律的極限使光學(xué)檢測精度面臨前所未有的挑戰(zhàn)。

紫外（UV）技術(shù)憑借更短的波長、更高的光子能量和獨特的光學(xué)特性，已成為應(yīng)對半導(dǎo)體極限精度挑戰(zhàn)的核心手段。然而，盡管UV光源亮度高，經(jīng)過光學(xué)傳輸和樣品散射后，到達(dá)探測器的有效光子信號仍極其微弱。如果缺乏高靈敏度成像手段，許多亞微米甚至納米級缺陷將難以被準(zhǔn)確識別。

因此，高靈敏度UV相機(jī)成為連接光源與檢測結(jié)果的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它不僅決定了能否捕獲極弱信號，還直接影響檢測精度與效率。本文將系統(tǒng)解析半導(dǎo)體檢測中各典型UV波段的應(yīng)用特點與成像挑戰(zhàn)，并結(jié)合實際案例，幫助您在不同檢測場景下選擇最合適的UV相機(jī)。

1.?365nm ：微米級高速巡檢

365 nm?屬于?UVA（315–400 nm）波段，其波長短于可見光，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的衍射極限和更高分辨率。與深紫外相比，365 nm?光源與光學(xué)器件成熟度更高、成本更低，檢測效率更高，因此常用于半導(dǎo)體后道封裝與測試環(huán)節(jié)中的大范圍巡檢及微米級缺陷快速篩查。